يمكن أن يكون iPhone 20 أول من استخدم عقدة A14 الجديدة من TSMC (1.4NM) اليوم التي تم الإعلان عنها اليوم

عقدة العملية المستخدمة لتصنيع الرقائق هي رقم مهم. هذا لأنه مع تقلص الرقم ، فهذا يعني أن حجم الترانزستورات المستخدمة في رقاقة يصبح أصغر. كلما كانت الترانزستورات الأصغر حجماً ، زاد عدد العدد الذي يمكن أن يتناسب مع دائرة صغيرة متكاملة. كلما ارتفع عدد ترانزستور رقاقة ، كلما كانت هذه الرقاقة أكثر قوة وفعالة للطاقة. عادة ما يتم إعداد عقدة العملية أقل من سنتين إلى ثلاث سنوات.

على سبيل المثال ، كان من المتوقع أن تبدأ TSMC و Samsung Foundry الإنتاج الضخم من الرقائق المصنوعة باستخدام عقد عملية 2NM في وقت لاحق من هذا العام. بالنسبة إلى TSMC ، ستظهر لأول مرة في الترانزستور (GAA) الذي يغطي القناة على جميع الجوانب الأربعة لتقليل تسرب الجهد وتحسين تيار محرك الأقراص. سيؤدي ذلك إلى تقديم رقائق أداء أعلى باستخدام طاقة أقل.

لتظهر لك تقدم عقدة عملية TSMC ، دعنا نأخذ رحلة إلى أسفل حارة الذاكرة.

• Apple iPhone 11 (2019)-بذاته من قبل 7nm A13 Bionic مع 8.5 مليار ترانزستورات.
• Apple iPhone 12 (2020)-بذاته من قبل 5nm A14 bionic مع 11.8 مليار ترانزستور (+39 ٪).
• Apple iPhone 13 (2021)-بذاته من قبل 5nm A15 bionic مع 15.0 مليار ترانزستور (+27 ٪).
• Apple iPhone 14 (2022)-بذاته بواسطة 5nm A15 bionic مع 15.0 مليار ترانزستور (+0 ٪).
• Apple iPhone 15 (2023)-بذاته من قبل 4NM A16 Bionic مع 16.0 مليار ترانزستور (+0.7 ٪).
• Apple iPhone 16 (2024)-بذاته من قبل 3NM A18 مع ما يقرب من 19 مليار ترانزستور (+19 ٪).