اخبار مترجمة :وكالة مشاريع الأبحاث الدفاعية المتقدمة تختار جامعة تكساس في أوستن لاستضافة مركز تصنيع الإلكترونيات الدقيقة

أعلنت وكالة مشاريع الأبحاث الدفاعية المتقدمة وجامعة تكساس في أوستن يوم الخميس عن شراكة بقيمة 1.4 مليار دولار لمدة خمس سنوات لإنشاء أول مركز أمريكي لـ تصنيع الالكترونيات الدقيقة المتقدمة.

إن هذا الاستثمار هو جزء من برنامج تصنيع الإلكترونيات الدقيقة من الجيل القادم التابع لوكالة مشاريع البحوث الدفاعية المتقدمة (DARPA). وسوف يمول هذا الجهد الأبحاث والمعدات اللازمة لإنشاء مركز محلي للنماذج الأولية لتقنيات التصنيع المتطورة، والتي تأمل وكالة مشاريع البحوث الدفاعية المتقدمة أن تمنح قاعدة صناعية لأشباه الموصلات في الولايات المتحدة رائدة.

وبموجب الاتفاق، ستوفر وكالة مشاريع البحوث الدفاعية المتقدمة 840 مليون دولار، وهو ما يكمل استثمارا بقيمة 522 مليون دولار من ولاية تكساس في معهد تكساس للإلكترونيات التابع لجامعة تكساس في أوستن، والذي سيستضيف المركز. والهدف هو إنشاء المركز الجديد بحلول عام 2029.

وقالت وكالة مشاريع البحوث الدفاعية المتقدمة في بيان صدر في 18 يوليو/تموز: “سوف يستفيد الكونسورتيوم من الشراكات التي تمتد عبر المنظمات – عبر القاعدة الصناعية الدفاعية، والمصانع المحلية، والبائعين والشركات الناشئة، والمصممين والمصنعين، وأعضاء الأوساط الأكاديمية، وأصحاب المصلحة الآخرين – لتحقيق رؤية مشتركة للأمن الوطني والاقتصادي”.

على مدى العقود الثلاثة الماضية، انتقلت الولايات المتحدة من إنتاج 37% من إمدادات الرقائق الدقيقة العالمية إلى نحو 12%. واليوم، تنتج تايوان أغلب الإمدادات العالمية من أشباه الموصلات المتقدمة، وتصدر الصين جزءاً كبيراً من رقائقها الدقيقة إلى الولايات المتحدة. توفير الطاقة لكل شيء من الهواتف المحمولة إلى السيارات إلى طائرة F-35 المقاتلة.

تعمل وكالة مشاريع الأبحاث الدفاعية المتقدمة على تعزيز القاعدة الصناعية والبحثية المحلية في مجال الإلكترونيات الدقيقة منذ ثمانينيات القرن العشرين، وقد التزمت مؤخرًا ما يقرب من 5 مليار دولار من خلال مبادرة النهضة الإلكترونيةأو ERI. ويشمل الجهد عدة برامج مصممة لمعالجة الحواجز التكنولوجية الرئيسية التي تواجه الصناعة التجارية ووكالات الأمن القومي.

إن مركز NGMM هو جزء من هذا العمل. وسوف يركز المركز الجديد على الأنظمة الدقيقة المتكاملة بشكل غير متجانس ثلاثي الأبعاد، أو 3DHI – وهو نهج متقدم في تصنيع الإلكترونيات الدقيقة. وتقوم فكرة أبحاث 3DHI على أنه من خلال دمج وتعبئة مكونات الشريحة بشكل مختلف، يمكن للمصنعين تفكيك وظائف مثل الذاكرة والمعالجة لتحسين الأداء بشكل كبير.

وقالت ويتني ماسون، رئيسة مكتب تكنولوجيا الأنظمة الدقيقة في وكالة مشاريع البحوث الدفاعية المتقدمة (داربا)، في البيان: “إن إتاحة هذه الإمكانية للباحثين من الأوساط الأكاديمية والحكومية والصناعية من شأنها أن تكسر الحواجز وتعزز نظامًا بيئيًا يعزز الميزة التنافسية للولايات المتحدة”.

وتنقسم الجهود التي تستمر خمس سنوات إلى مرحلتين. ففي المرحلة الأولى، ستنشئ الجامعة القدرات والبنية الأساسية للمركز. وفي المرحلة الثانية، سيبدأ المرفق في تصنيع النماذج الأولية لـ 3DHI وسيعمل مع وكالة مشاريع البحوث الدفاعية المتقدمة لتمويل تحديات التصميم.

وفي بيان لها، قالت جامعة تكساس في أوستن إن اتحاد الإلكترونيات الدقيقة التابع لها يضم اليوم 32 شركة إلكترونيات دفاعية وتجارية و18 مؤسسة أكاديمية.

يأتي إعلان وكالة مشاريع البحوث الدفاعية المتقدمة (DARPA) في أعقاب إقرار الكونجرس في عام 2022 لقانون إنشاء حوافز مفيدة لإنتاج أشباه الموصلات، أو قانون CHIPSوقد خصص هذا الإجراء ما يقرب من 52 مليار دولار للجهود قصيرة الأجل الرامية إلى تحسين القوى العاملة في مجال الإلكترونيات الدقيقة، والبحث والتطوير، والتصنيع في جميع أنحاء الولايات المتحدة.

ولم تتلق وكالة مشاريع الأبحاث الدفاعية المتقدمة (DARPA) تمويلاً من برنامج CHIPS لدعم مركز NGMM، لكن ماسون أشار إلى أن أهدافه تتوافق مع المبادرة وتدعمها.

وقالت “لا يمكننا المبالغة في تقدير الحاجة إلى زخم ثابت لا يتزعزع في قدرات الإلكترونيات الدقيقة”. “إن التركيز القريب لقانون CHIPS يمكن أن يساعد في تعزيز عمل NGMM نحو تحقيق الموجة الرئيسية التالية من ابتكارات الإلكترونيات الدقيقة”.