تقرير يؤكد رقاقة Exynos 2500 القادمة تأتي بدقة تصنيع 3 نانومتر وكفاءة أعلى
تستمر العملاق الكوري سامسونج في العمل على تحسين آداء وكفاءة سلسلة معالجات Exynos، وتؤكد أحدث التقارير على أن رقاقة Exynos 2500 القادمة تأتي بدقة تصنيع 3 نانومتر وكفاءة أعلى مقارنة برقاقة كوالكوم Snapdragon 8 Gen 4.
تستهدف سامسونج التركيز في إصدارها القادم من معالجات Exynos على تعزيز كفاءة إستهلاك الطاقة وتحسين الآداء بمستوى يتخطى إصدارات كوالكوم لعام 2025.
وفي تفاصيل جديدة نشرت عبر “PandaFlashPro” في منصة X، تم التأكيد على أن معالج Exynos 2500 سيأتي بآداء يتفوق على معالج Snapdragon 8 Gen 4 في الآداء وكفاءة إستهلاك الطاقة.
ولقد قدمت سامسونج إصدارها الحالي Exynos 2400 بمستوى آداء رقاقة كوالكوم Snapdragon 8 Gen 3، إلا أن أحدث التقارير تؤكد على أن سامسونج إستطاعت أن تجلب مزيد من التحسينات في إصدارها القادم لمنافسة إصدار كوالكوم القادم.
من جانب أخر تأتي رقاقة Exynos 2500 القادمة من سامسونج بدقة تصنيع 3 نانومتر، بينما تقدم كوالكوم الجيل الرابع من معالجات Snapdragon 8 بدقة تصنيع 4 نانومتر.
ولقد أشارت تقارير سابقة إلى أن سامسونج تعمل على تطوير اثنان من رقاقات Exynos من الفئة المميزة، على أن يأتي إصدار Exynos 2500-A بعدد 8 من الأنوية، بينما تدعم سامسونج إصدار Exynos 2500-B بعدد 10 من الأنوية.
